Un Accord entre l’Université de Carthage, l’Université de Grenoble Alpes, L’INSAT et STMicroelectronics-Tunisie
La microélectronique joue un rôle très important dans la digitalisation de la société de demain. L’industrie microélectronique (Intel, Samsung, TSMC, STMicroelectronics, Siemens, etc..) développe les circuits à base de semi-conducteurs, indispensable pour les applications du monde de numérique.
En Avril 2022, le CEA, Soitec, Global-Foundries et STMicroelectronics ont annoncé une nouvelle collaboration avec l’intention de définir conjointement la feuille de route de la prochaine génération de la technologie FD-SOI (silicium sur isolant totalement déplété). Les semi-conducteurs et l'innovation FD-SOI ont une valeur stratégique pour la France et l'Union Européenne ainsi que pour les clients du monde entier. Le FD-SOI apporte des avantages significatifs aux concepteurs et aux systèmes clients, notamment une consommation d’énergie réduite ainsi qu’une intégration simplifiée de fonctionnalités supplémentaires telles que la connectivité et la sécurité, une fonctionnalité clé pour l’automobile : les applications IoT et mobiles.
Le site STMicroelectronics (Crolles, France) avec Global-Foundries, ont lancé la construction d'une nouvelle unité de production de semi-conducteurs. Cette nouvelle unité, qui représente un investissement de 5,7 milliards d'euros, va permettre de doubler la capacité de production du site, passant à 1,2 million de plaques par an, contre 550.000 actuellement. Elle devrait aussi créer 1000 emplois. Cette nouvelle ligne devrait commencer à produire en 2023 et être opérationnelle à plein capacité d'ici 2026.
En Tunisie, du fait de l’importance croissante que les composants électroniques et microélectroniques vont prendre dans tous les produits, il est stratégique que ces technologies soient mise à disposition de l’économie tunisienne pour les années à venir. Dans ce domaine, la Tunisie a des opportunités à exploiter dans l’avenir en s’appuyant sur des entreprises multinationales. En effet, les PMI peuvent se développer dans le domaine dit du « Back End Of Line», du test et des systèmes utilisateurs de puces et du prototypage de systèmes (assemblage de circuits, conception et réalisation de systèmes électroniques et mécatroniques, conception et réalisation de composants micro-optoélectroniques pour des applications spécifiques et des micro-capteurs MEMS). Cette industrie nécessitera principalement des ingénieurs « concepteur » chargés de concevoir l’architecture des circuits, de définir leur fonctionnalité, puis de faire réaliser les prototypes, de les tester et de les valider. Ils utilisent, à cette fin, des outils informatiques spécialisés permettant de définir la constitution des différentes briques des circuits et la simulation de leurs comportements.
C’est dans ce cadre, qu’une convention a été signé le 15 Mai 2023 entre l’Institut National des Sciences Appliquées et de Technologie (INSAT) et STMicroelectronics-Tunisie lors des journées d’information et de sensibilisation en « Microélectronique », organisé conjointement entre l’université de Grenoble Alpes et l’université de Carthage. Cette convention appuiera la formation pédagogique sur les kits « STM32 IoT node « aux étudiants de l’INSAT avec le soutien des experts de STMicroelectronics-Tunisie. Une deuxième convention a été signée le 16 Mai 2023 entre l’université de Grenoble-Alpes, représentée par son président Monsieur Yassine Lakhnech, l’université de Carthage représentée par sa présidente Mme Nadia Mzoughi Aguir et l’Institut National des Sciences Appliquée et de Technologie représenté par son directeur Monsieur Hamza Samir. Cette convention stipule l’accompagnement de l’université de Grenoble Alpes pour la mise en place d’une option en « microélectronique » en 4eme et 5eme de la formation ingénieur de l’INSAT.
Ce projet est le résultat d’une collaboration qui a démarrée depuis 2021 entre l’équipe de recherche du Pr. Abdelghani Adnane de l’INSAT avec l’équipe du laboratoire de Technologie Microélectronique (LTM-Grenoble) de Monsieur Bassem Salem (Directeur de Recherche CNRS) et Pr. Abdelkader Souifi. Le projet est d’une grande envergure pour les deux parties, ou il y’aura le soutien pédagogique et matériel de STMicroelectronics-Tunisie (DG, Monsieur Mohamed Ben Ahmed), de CIME-nanotech (Pr. Ahmad Bseisy), de l’INP-Grenoble (Pr. Olivier Rossetto) ainsi que du laboratoire de Technologie Microélectronique (Pr. Thierry Baron). L’INSAT formera des ingénieurs avec une compétence « en microélectronique » ayant un spectre de connaissances étendu, allant de la physique de matériau, de l’électronique analogique-numérique, du traitement des données, du système embarqué et des ¬capteurs à la conception de circuits et systèmes intégrés mixtes. Une attention particulière est donnée aux outils de conception numérique pour les architecture 2D et 3D en technologie CMOS, la formation en salle blanche pour les étudiants de l’INSAT sur des technologies de pointe pour la fabrication des dispositifs semi-conducteurs et la formation des formateurs. En plus, ce projet permettra aux structures de recherche de l’université de Carthage de collaborer avec les clusters en « microélectronique » de la région du Grenoble. L’université de Carthage mise sur ce genre de convention avec des partenaires académiques et industriels de renommée pour le bien de l’industrie tunisienne dans des domaines de pointe telle que la microélectronique.